本报讯  近日，国家第三代半导体技术创新中心揭牌仪式在湖南长沙启动。同日，中心多个共建单位签约《国创湖南中心共建协议》，拟紧扣国家重大战略和区域科技需求，聚焦共性技术和重大瓶颈，突破核心技术，支撑第三代半导体产业向中高端迈进。

　　据了解，国创中心瞄准第三代半导体装备前沿技术和产业关键技术，重点针对光电子、射频微波、电力电子等领域第三代半导体器件的重大需求，以第三代半导体核心装备为突破口，突破关键核心技术，搭建技术研发和产业化孵化平台，构建具有湖南优势和特色的第三代半导体的协同创新生态和产业生态。

　　根据计划，到2025年，国创中心拟带动湖南第三代半导体产业年产值100亿元，建立健全国产装备设计、制造、验证成套标准体系。到2030年，拟带动湖南第三代半导体产业年产值1000亿元，实现装备设计正向化、核心技术自主化、关键部件国产化、装备工艺一体化、制造过程智能化。王查娜