本报讯  近日，国家集成电路特色工艺及封装测试创新中心建设方案专家论证会通过创新中心建设方案，标志着全国第一个在集成电路封装领域获批的国家创新中心落户无锡高新区。这是一次立足战略性新兴产业的强势“卡位”，处于国内集成电路“第一方阵”的无锡高新区具备向全球前沿技术攻关的实力。

　　据了解，国家制造业创新中心是工业和信息化部为实施制造强国战略，加快完善制造业创新体系的重要部署。目前，国家制造业创新中心在36个重点建设领域进行了布局，12家单位获批建设国家制造业创新中心，其中在新一代信息技术领域仅有4家单位获批，竞争尤为激烈。根据到2020年累计建设15家左右国家制造业创新中心的目标，今年全年指标可能仅有2-3家。

　　此次通过论证的国家集成电路特色工艺及封装测试创新中心是无锡市第一个国家级制造业创新中心、江苏省内首个新一代信息技术产业领域国家创新中心，这不仅是对无锡高新区集成电路产业发展的充分认可，对无锡市乃至江苏省集成电路产业来说也是一大突破。该创新中心是在江苏省级创新中心基础上，由华进半导体封装先导技术研发中心有限公司牵头创建，聚焦共性技术的攻关和应用技术研发，做好技术扩散和转移，突破集成电路特色工艺及封测领域内关键卡脖子技术，在部分领域能够引领国际产业技术发展，不断提升行业服务与成果转化能力。

　　目前，该创新中心已建成超1万平方米研发大楼，集合全国范围内71家产业链上下游单位，拥有各类研发人员约300人，累计申请专利876项，通过知识产权入股、技术支持及转移等形式衍生孵化7家企业，累计实现80项技术转移，连续三年实现盈利。

　　无锡国家集成电路特色工艺及封装测试创新中心被给予厚望。专家组组长、中国工程院院士干勇认为，建设该创新中心有利于推动高端封装技术的量产应用与产业化推广，促进中国集成电路产业的发展，有利于形成集成电路特色工艺及封装测试领域持续创新能力，支撑制造强国建设。“对无锡来说，更是能够密切带动相关产业链的发展，尤其是在技术领域冲击全球领先位置。”无锡市相关产业人士表示。

　　近年来，无锡高新区围绕集成电路产业发展，着力推动国家集成电路特色工艺及封装测试创新中心建设，区级财政专项支持超过5000万元，并努力在企业服务上当好“店小二”角色，无锡高新区工业和信息化局专项对接服务，帮助企业协调解决排污增量问题。

　　下一步，无锡高新区将全力支持国家集成电路特色工艺及封装测试创新中心建设，推动高端封装技术的量产应用与产业化推广，促进集成电路产业高质量发展。