本报讯   近日，韩国蔚山科学技术院开发出可调节厚度的单晶六方氮化硼（hBN）合成技术，能够解决以摩尔定律为代表的现有高集成半导体物理局限性。

　　该研究成果发表于《自然》杂志。

　　新一代高集成半导体是将硅换成二维半导体材料二硫化钼（MoS2）等，解决电流泄漏、发热等问题，提高芯片集成度的技术。当二硫化钼直接接触晶圆时，该高集成半导体会发生电荷陷阱现象，因此需要物理分离晶片和二硫化钼的绝缘体。同时，为了防止电荷散射，绝缘材料也必须使用与二硫化钼相同的二维材料。目前，六方氮化硼是公认的惟一能够防止新一代高集成半导体中可能发生的电荷陷阱、电荷散射等功能下降的二维绝缘体材料。

　　此前，将二维绝缘体材料合成到可用于半导体元件的厚度适当的单晶形态是个技术难题。研究团队通过调节合成所需材料浓度，成功合成可以调节厚度的单晶六方氮化硼。单晶六方氮化硼不仅可以用于半导体，还可以用于氢燃料电池电解质膜、新一代二次电池电极材料、量子光源等。