本报讯  为提升金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）元器件的性能及可靠性，比利时微电子研究中心（Imec）、鲁汶大学及维也纳技术大学联合团队在深入研究SiO2缺陷形成与钝化机理的基础上，合作开发了一种无需高温退火的新处理工艺——通过氢等离子体钝化处理，在较低温度（100-300°C）下即可有效降低SiO2的空穴陷阱密度，提高元器件的可靠性。

　　该工艺同时还显著提高了栅极堆叠的有效功函数，使器件能够在较低阈值电压的条件下实现高工作性能。此项研究有可能在未来3D堆叠芯片的研发与生产中发挥重要作用。