本报讯  长江存储科技有限责任公司4月13日宣布，其128层QLC3DNAND闪存研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。

　　据了解，128层QLC规格的3DNAND闪存是业内首款闪存，X2-6070型号闪存拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。

　　据介绍，每颗X2-6070QLC闪存芯片拥有128层三维堆栈，共有超过3665亿个有效的电荷俘获型(Charge-Trap)存储单元，每个存储单元可存储4字位(bit)的数据，共提供1.33Tb的存储容量。

　　闪存和固态硬盘(SSD)领域市场研究公司ForwardInsights创始人兼首席分析师GregoryWong认为：“QLC降低了NAND闪存单位字节(Byte)的成本，更适合作为大容量存储介质。比如可以作为服务器和数据中心的存储介质，适合AI计算、机器学习和大数据读取密集型应用。”