本报讯 近日，中国科学院金属研究所孙东明团队联合刘畅团队，研发了一种连续合成、沉积和转移单壁碳纳米管薄膜的技术，首次在世界范围内制备出米级尺寸高质量单壁碳纳米管薄膜，并基于此构建出高性能的全碳薄膜晶体管（ＴＦＴ）和集成电路（ＩＣ）器件。

　　单壁碳纳米管具有优异的力学、电学和光学性质，在柔性和透明电子器件领域可作为透明电极材料或半导体沟道材料，因此被认为是最具竞争力的候选材料之一。但是，开发出可高效、宏量制备高质量碳纳米管薄膜的方法，仍是该材料走向实际应用的关键难题。研发团队有关负责人介绍说，迄今制备的单壁碳纳米管薄膜的尺寸通常为厘米量级，批次制备方式不能满足规模化应用要求。同时，由于在碳纳米管薄膜制备工艺过程中通常会引入杂质和结构缺陷，使得薄膜的光电性能劣化，远低于理论预测值，种种因素导致单壁碳纳米管薄膜的制备一直不甚理想。

　　中科院金属所研究团队采用浮动催化剂化学气相沉积方法，在反应炉的高温区域连续生长单壁碳纳米管，后通过气相过滤和转移系统，在室温下收集所制备的碳纳米管，并通过卷到卷转移方式转移至柔性ＰＥＴ基底上，获得了长度超过２ ｍ的单壁碳纳米管薄膜。该团队称，这将为未来开发基于单壁碳纳米管薄膜的大面积、柔性和透明电子器件奠定材料基础。沈慧